<source id="0he5h"></source>
<optgroup id="0he5h"></optgroup>
關(guān)于威柏
公司簡(jiǎn)介
企業(yè)文化
發(fā)展歷程
資質(zhì)榮譽(yù)
核心優(yōu)勢(shì)
合作客戶
代理品牌
富士電機(jī)
威世
博世
KVASER
富士通南大
京瓷
產(chǎn)品中心
IGBT模塊
電源IC
功率Mosfet
整流二極管
SiC器件
威世
博世
克薩
解決方案
威柏電子技術(shù)
Kvaser
富士通南大
RA Consulting
英福思科技
德國(guó)BTC
新聞資訊
行業(yè)動(dòng)態(tài)
聯(lián)系我們
香港總部
國(guó)內(nèi)辦事處
在線留言
Product Center
產(chǎn)品中心
首頁(yè)
產(chǎn)品中心
IGBT模塊
電源IC
功率Mosfet
整流二極管
SiC器件
威世
博世
克薩
產(chǎn)品中心
超快速恢復(fù)二極管
從此處查看超快速恢復(fù)二極管的信息。
了解詳情
車載用功率MOSFET
了解詳情
高邊/低邊驅(qū)動(dòng)IC
為驅(qū)動(dòng)橋接結(jié)構(gòu)功率設(shè)備門極的HVIC（High Voltage IC）。 是一款具有高dv/dt耐量和負(fù)電壓電涌耐量的產(chǎn)品。
了解詳情
SiC肖特基勢(shì)壘二極管
SiC器件具有出色的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低功耗、高頻動(dòng)作和高溫動(dòng)作。使用SiC的功率半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能和安裝產(chǎn)品的小型化、輕量化。
了解詳情
IGBT模塊 斬波器
從此處查看IGBT模塊 斬波器的數(shù)據(jù)表、等效電路。
了解詳情
SiC混合模塊
SiC器件具有出色的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓、低功耗、高頻動(dòng)作和高溫動(dòng)作。使用SiC的功率半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能和安裝產(chǎn)品的小型化、輕量化。
了解詳情
快速恢復(fù)二極管（雙管）
從此處查看快速恢復(fù)二極管（雙管）的信息。
了解詳情
功率MOSFET 800V-900V
從此處查看功率MOSFET 800V-900V的信息。
了解詳情
1
2
3
4
請(qǐng)聯(lián)系我們，威柏會(huì)在第一時(shí)間幫您解決!
聯(lián)系我們
香港
深圳
上海
成都
武漢
青島
北京
西安
香港九龍官塘成業(yè)街7號(hào)寧晉中心33樓A-B室
(852) 2763 5991
深圳市福田區(qū)沙頭街道泰然六路紅松大廈A座9B
0755-8826 7606
上海市徐匯區(qū)龍華中路596號(hào)綠地中心A座 612室
021-5489 1460
成都市高新區(qū)吉瑞三路99號(hào)環(huán)球時(shí)代中心1棟4單元1618號(hào)
028-8554 0368
湖北省武漢市洪山區(qū)群光中心2011-2012室
027-8713 9838
青島市黑龍江南路2號(hào)萬(wàn)科中心A座909
0532-8582 3798
北京市朝陽(yáng)區(qū)十里堡東恒時(shí)代三期17號(hào)樓2單元202
010-5963 0698
西安市高新區(qū)科技路金橋國(guó)際廣場(chǎng)B座1113室
029-8938 1667
關(guān)于威柏
公司簡(jiǎn)介
企業(yè)文化
發(fā)展歷程
資質(zhì)榮譽(yù)
核心優(yōu)勢(shì)
合作客戶
代理品牌
富士電機(jī)
威世
博世
KVASER
富士通南大
京瓷
產(chǎn)品中心
IGBT模塊
電源IC
功率Mosfet
整流二極管
SiC器件
威世
博世
克薩
解決方案
威柏電子技術(shù)
Kvaser
富士通南大
RA Consulting
英福思科技
德國(guó)BTC
新聞資訊
行業(yè)動(dòng)態(tài)
聯(lián)系我們
香港總部
國(guó)內(nèi)辦事處
在線留言
Copyright ? 2021-2022 深圳市威柏德電子有限公司
粵ICP備2022087162號(hào)
法律聲明
網(wǎng)站地圖
技術(shù)支持
<source id="0he5h"></source>
<optgroup id="0he5h"></optgroup>
